SK하이닉스, 세계 첫 12단 HBM3E 양산...올해 안에 고객사 공급

8단과 같은 두께로 현존 최고 성능과 용량

SK하이닉스가 세계 처음으로 양산에 성공한 HBM3E 12단 제품. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 36기가바이트(GB)를 구현한 5세대(HBM3E) 12단 신제품을 세계 처음으로 양산했다고 26일 밝혔다. 기존 8단 HBM3E 용량(24GB)의 50%를 늘린 제품으로 올해 안에 고객사에 공급할 예정이다.

SK하이닉스는 "2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한 데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해 온 유일한 기업"이라며 "3월 HBM3E 8단 제품을 업계 처음으로 고객에게 납품한 지 6개월 만에 또 한 번 압도적 기술력을 증명했다"고 강조했다.

회사는 HBM3E 12단 제품이 인공지능(AI) 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps(초당 기가비트)로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽처리장치(GPU)로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초 당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.

SK하이닉스는 기존 8단 제품과 같은 두께로 3GB D램 칩 12개를 쌓아 용량을 50% 늘렸다고도 강조했다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV, D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 패키징) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 SK하이닉스의 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정¹으로 해결했다. 신제품은 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였고 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다고 SK하이닉스는 덧붙였다.

김주선 SK하이닉스 사장(AI 인프라 담당)은 "앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 ‘글로벌 1위 AI 메모리 공급사’로서의 위상을 이어가겠다"고 말했다.

1 MR-MUF 공정

칩과 칩 사이 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 공정

이윤주 기자 misslee@hankookilbo.com